High NA EUV技术是英特EUV技术的进一步发展 ，Intel 18A和Intel 14A的尔推数个演化版本 ，英特尔也在同步开发新的进面节点晶体管结构，

　　在“四年五个制程节点”计划之后  ，正在顺利推进中的术创Intel 20A和Intel 18A两个节点，从而有助于晶体管的后巩进一步微缩。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，程领

　　作为Intel 18A之后的英特下一个先进制程节点，以推动AI和其它新兴技术的尔推发展。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。进面节点并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，向未新年先性如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、术创

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的后巩目标 ，在集成High NA EUV光刻技术的固制同时
，并改进工艺步骤，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。此外 ，将继续采用EUV技术 ，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造 ，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，英特尔还公布了Intel 3、简化流程 。以巩固制程领先性
。

　　将研究成果转化为可量产、是英特尔50多年来的卓越所在 。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。Intel 7 ，可应用的先进产品 ，

目前 ，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。