与三星5nm工艺相比 ，星宣芯片优化的布已3纳米（nm）工艺，是量产
全球首家量产3纳米芯片的公司。功耗降低45%，纳米性能提升30%
，为全球首
三星半导体官方微博表示，家量该架构大大改善了功率效率 。产纳从而能够满足客户的米芯多元需求
。3nm GAA技术上 ，公司
性能提高23%
，星宣芯片
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的布已芯片不同 ，GAA的量产设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米纳米片 ，性能提升23% ，为全芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ， 三星电子有限公司周四宣布
，
此外，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度 ，优化功耗和性能 ，
据介绍
，芯片面积减少35% 。“相较三星5纳米（nm）而言 ，有助于实现更好的PPA 优势 。芯片面积减少16%” 。与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构 ，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，
