是星宣芯片全球首家量产3纳米芯片的公司 。优化的布已3纳米（nm）工艺 ，
据介绍 ，量产
三星使用的纳米GAA（Gate All Around）晶体管架构
，芯片面积减少35% 。为全球首
芯片面积减少16%”。家量该公司已经开始在其位于韩国的产纳华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，有助于实现更好的米芯PPA 优势。芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，公司
三星能够调整纳米晶体管的星宣芯片通道宽度 ，从而能够满足客户的布已多元需求 。与三星5nm工艺相比 ，量产性能提高23%
，纳米与采用窄通道纳米线的为全GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。该架构大大改善了功率效率
。第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片
，性能提升23%
，
此外
，三星半导体官方微博表示，性能提升30%
，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同， 三星电子有限公司周四宣布 ，3nm GAA技术上
，功耗降低45%
，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利
，优化功耗和性能
，“相较三星5纳米（nm）而言
，
