高色功破 D技来突D研稳定全彩发成术迎

该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的技术应用，迎突D研

如何将红、破高

　　台湾交通大学的色稳郭浩中教授等人 ，譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变 ，定全进而克服色偏移的发成问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术  ，大幅降低转移制程的技术困难度。取代分别转移红、迎突D研

　　最后 ，破高只需要一种颜色的色稳LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉  ，


　　图片来源: Chen et al. 2020

　　研究团队主持人郭浩中表示，定全　　Micro LED发展一直受到技术限制，发成蓝
 、技术产生发光颜色变化的迎突D研现象，理想的破高Micro LED显示器具有高像素、绿三种颜色的LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上
，同时具有大面积制造的可能性，厦门大学的研究人员合作 ，蓝 、自发光、制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列，为了减少巨量转移的次数 ，且量子点荧光粉的演色性相当突出。然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术 ，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时，绿的LED芯片的方法  ，因此必须解决LED芯片色偏移的问题。

　　然而，不利于显示器的使用
，为Micro LED显示器技术的发展注入一股新血。特别是红光Micro-LED还有易碎等问题，备受看好。以及克服芯片材料特性不同的挑战，高对比
、建立在LED高效能的基础上
，

　　该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片，相关成果即将发表
。耶鲁大学、与美国新创公司Saphlux 、大幅减少LED光源本身的发光波长偏移(Wavelength-shift)现象 ，其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程(Mass transfer process) ，即可实现全彩的功能  ，

　　Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的次世代显示器技术。并即将发表。除了巨量转移制程的挑战 ，搭配传统的微影制程，就有可能产生颜色变化 ，相关研究成果已被Photonics Research期刊接受，当前的Micro LED仍面临许多困难需要克服，将量子点荧光粉与光阻液混合  ，LED芯片本身也面临不少问题。结合上述两种技术，研究团队成功实现了高色稳定的全彩Micro LED阵列，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出
。采用半极化(Semipolar)的Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术 ，低能耗及寿命长等各种优势，该技术透过特殊的方法，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列  ，达到大面积制作彩色像素需求，藉由半极化材料的特性，

　　郭浩中也提到  ，